Characteristics of IGZO TFT Prepared by Atmospheric Pressure Plasma Jet Using PE-ALD Al2O3 Gate Dielectric

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題名:	Characteristics of IGZO TFT Prepared by Atmospheric Pressure Plasma Jet Using PE-ALD Al2O3 Gate Dielectric
作者:	吳建宏 rossiwu
貢獻者:	電子工程學系 Electronics Engineering
關鍵詞:	Al2O3;atmospheric pressure plasma jet;APPJ;indium–gallium–zinc oxide;IGZO;nonvacuum;plasmaenhanced atomic layer deposition;PE-ALD
日期:	2012
上傳時間:	2014-07-01 10:31:32 (UTC+8)
摘要:	This letter proposes a novel atmospheric pressure plasma jet (APPJ) method for indium–gallium–zinc-oxide (IGZO) deposition and use of the plasma-enhanced atomic layer deposition (PE-ALD) Al2O3 as gate dielectric. A nonvacuum and simple APPJ system was dem
顯示於類別:	[電子工程學系] 期刊論文

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