Gate-First TaN/La2O3/SiO2/Ge n-MOSFETs Using Laser Annealing

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题名:	Gate-First TaN/La2O3/SiO2/Ge n-MOSFETs Using Laser Annealing
作者:	吳建宏 rossiwu
贡献者:	電子工程學系 Electronics Engineering
关键词:	Ge;high-$kappa$ gate dielectric;laser annealing
日期:	2010
上传时间:	2014-07-01 10:33:27 (UTC+8)
摘要:	To improve device performance, laser annealing was applied to Ge n-MOSFETs, which gave a low sheet resistance of 68 Ω/sq, a small ideality factor of 1.3, and a large ~105 forwardreverse current in the source-drain n+/p junction. The laser-annealed gate-fi
显示于类别:	[電子工程學系] 期刊論文

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