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    題名: 封裝熱應力對參雜型應變矽MOSFET之應力分析
    作者: 陳精一
    Chen, Ching-I
    貢獻者: 機械工程學系
    Mechanical Engineering
    關鍵詞: 有限元素法;應變工程;封裝效應
    有限元素法;應變工程;封裝效應
    日期: 2008
    上傳時間: 2014-06-27 03:01:35 (UTC+8)
    摘要: 隨著科技的進步，為了持續提升晶片效能，以往藉由將晶片上之電晶體元件結構縮微的方式，如今受限於物理極限，已陷入瓶頸，為了能夠持續增加晶片的效能，於是發展出應變工程技術。應變工程藉由對電子通道處施加應力(應變)，藉以增加載子遷移率的方式來增強半導體元件效能，如此能夠不需將電晶體元件結構縮微，卻仍能持續增加晶片的效能。而在封裝效應部分，隨著、輕、薄、短、小的發展方向，封裝效應對於晶片的影響日益顯著，使得封裝應力對於晶片中之low-k層的效應逐漸受到重視，本研究更進一步探討，封裝應力對於應變矽金氧半場效電晶體之應
    隨著科技的進步，為了持續提升晶片效能，以往藉由將晶片上之電晶體元件結構縮微的方式，如今受限於物理極限，已陷入瓶頸，為了能夠持續增加晶片的效能，於是發展出應變工程技術。應變工程藉由對電子通道處施加應力(應變)，藉以增加載子遷移率的方式來增強半導體元件效能，如此能夠不需將電晶體元件結構縮微，卻仍能持續增加晶片的效能。而在封裝效應部分，隨著、輕、薄、短、小的發展方向，封裝效應對於晶片的影響日益顯著，使得封裝應力對於晶片中之low-k層的效應逐漸受到重視，本研究更進一步探討，封裝應力對於應變矽金氧半場效電晶體之應
    顯示於類別:[機械工程學系] 研討會論文

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    封裝熱應力對參雜型應變矽MOSFET之應力分析.pdf59KbAdobe PDF80檢視/開啟


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