封裝熱應力對參雜型應變矽MOSFET之應力分析

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题名:	封裝熱應力對參雜型應變矽MOSFET之應力分析
作者:	陳精一 Chen, Ching-I
贡献者:	機械工程學系 Mechanical Engineering
关键词:	有限元素法;應變工程;封裝效應有限元素法;應變工程;封裝效應
日期:	2008
上传时间:	2014-06-27 03:01:35 (UTC+8)
摘要:	隨著科技的進步，為了持續提升晶片效能，以往藉由將晶片上之電晶體元件結構縮微的方式，如今受限於物理極限，已陷入瓶頸，為了能夠持續增加晶片的效能，於是發展出應變工程技術。應變工程藉由對電子通道處施加應力(應變)，藉以增加載子遷移率的方式來增強半導體元件效能，如此能夠不需將電晶體元件結構縮微，卻仍能持續增加晶片的效能。而在封裝效應部分，隨著、輕、薄、短、小的發展方向，封裝效應對於晶片的影響日益顯著，使得封裝應力對於晶片中之low-k層的效應逐漸受到重視，本研究更進一步探討，封裝應力對於應變矽金氧半場效電晶體之應隨著科技的進步，為了持續提升晶片效能，以往藉由將晶片上之電晶體元件結構縮微的方式，如今受限於物理極限，已陷入瓶頸，為了能夠持續增加晶片的效能，於是發展出應變工程技術。應變工程藉由對電子通道處施加應力(應變)，藉以增加載子遷移率的方式來增強半導體元件效能，如此能夠不需將電晶體元件結構縮微，卻仍能持續增加晶片的效能。而在封裝效應部分，隨著、輕、薄、短、小的發展方向，封裝效應對於晶片的影響日益顯著，使得封裝應力對於晶片中之low-k層的效應逐漸受到重視，本研究更進一步探討，封裝應力對於應變矽金氧半場效電晶體之應
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