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    題名: Oxidation and structure scheme studies for sensitivity improvement of Si1−xGex nanowire biosensor
    作者: 賴瓊惠
    Lai, Chiung-Hui
    貢獻者: 電子工程學系
    Electronics Engineering
    關鍵詞: 矽鍺;鍺濃縮;奈米線;生物感測器
    SiGe;Ge-condendation;Nanowire;Bisosensor
    日期: 2012
    上傳時間: 2014-06-27 02:31:10 (UTC+8)
    摘要: 大的表面體積比可以提高感測器的靈敏度,最佳化的矽/矽鍺堆疊比例可以增加靈敏度.
    Because of the large surface-to-volume ratio of
    nano-structure, the silicon nanowires (SiNWs) provide a
    high sensitivity for highly sensitive detection of biological
    and chemical species. Moreover, the SiGe-on-Insulator
    (SGOI) by Ge-condensation process c
    顯示於類別:[電子工程學系] 研討會論文

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    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    OxidationandstructureschemestudiesforsensitivityimprovementofSi1−xGexnanowirebio.pdf25KbAdobe PDF186檢視/開啟


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