Chung-Hua University Repository:Item 987654321/33718
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    题名: Effects of sensitivity enhancement by oxide passivation layer on SGOI nanowire fabrication
    作者: 賴瓊惠
    Lai, Chiung-Hui
    贡献者: 電子工程學系
    Electronics Engineering
    关键词: 矽鍺;鍺濃縮;奈米線;生物感測器
    SiGe;Ge-condendation;Nanowire;Bisosensor
    日期: 2012
    上传时间: 2014-06-27 02:28:56 (UTC+8)
    摘要: 氧化層保護層增強矽鍺奈米線的靈敏度
    Abstract—Increasing the fraction of Ge in SiGe-on-Insulator
    (SGOI) using Ge condensation by oxidation significantly
    increases hole mobility. This effect can be exploited to
    improve the sensitivity of SGOI nanowire. However, our
    previous studies found that
    显示于类别:[電子工程學系] 研討會論文

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