Iridium Nanocrystal Thin-Film Transistor Nonvolatile Memory with Si3N4/SiO2 Stack of Asymmetric Tunnel Barrier

Chung-Hua University Repository > 工學院 > 電子工程學系 > 期刊論文 > Item 987654321/37528

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://chur.chu.edu.tw/handle/987654321/37528

题名:	Iridium Nanocrystal Thin-Film Transistor Nonvolatile Memory with Si3N4/SiO2 Stack of Asymmetric Tunnel Barrier
作者:	吳建宏 rossiwu
贡献者:	電子工程學系 Electronics Engineering
关键词:	nonvolatile memory;NVM;nanocrystal
日期:	2011
上传时间:	2014-07-01 10:33:42 (UTC+8)
摘要:	Iridium nanocrystals (Ir-NCs) lying on the Si3N4/SiO2 tunneling layer have been demonstrated and Ir-NC-assisted thin-film transistor nonvolatile memory devices were successfully developed. Results show that Ir-NCs with a number density of ∼6×1011 cm-2 and
显示于类别:	[電子工程學系] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
p_i403_0113.pdf		29Kb	Adobe PDF	199	检视/开启

在CHUR中所有的数据项都受到原著作权保护.