Performance tuning of InGaZnO thin-film transistors with a SnInGaZnO
electron barrier layer

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題名:	Performance tuning of InGaZnO thin-film transistors with a SnInGaZnO electron barrier layer
作者:	吳建宏 rossiwu
貢獻者:	電子工程學系 Electronics Engineering
關鍵詞:	InGaZnO;TFTs;SnInGaZnO;EBL
日期:	2013
上傳時間:	2014-07-01 10:33:40 (UTC+8)
摘要:	Indium gallium zinc oxide (InGaZnO) thin-film transistors (TFTs) with a co-sputtered tin indium gallium zinc oxide (SnInGaZnO) electron barrier layer (EBL) are fabricated. The effect of the SnInGaZnO layer thickness on device characteristics is investigat
顯示於類別:	[電子工程學系] 期刊論文

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