Chung-Hua University Repository:Item 987654321/34481
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    題名: 矽薄膜太陽能電池電漿輔助化學氣相沉積本質層與透明導電膜於玻璃基板研究
    作者: 林君明
    Lin, Jium-Ming
    貢獻者: 機械工程學系
    Mechanical Engineering
    關鍵詞: 矽薄膜太陽電池;半導體本質層;電漿輔助化學氣相沉積;電子束蒸鍍;濺鍍;透明導電膜;I-V電性分析;明暗光電流分析
    矽薄膜太陽電池;半導體本質層;電漿輔助化學氣相沉積;電子束蒸鍍;濺鍍;透明導電膜;I-V電性分析;明暗光電流分析
    日期: 2008
    上傳時間: 2014-06-27 02:52:15 (UTC+8)
    摘要: 本研究是在玻璃基板上,利用電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD),製作矽薄膜太陽能電池本質層(Thin film silicon solar cell intrinsic layers),並進行各項光電特性之探討。另一方面是利用PECVD、磁控式濺鍍機(Sputter)、以及電子束蒸鍍機(E-Gun Evaporator),在低鈉玻璃上,製作ZnO透明導電膜以及銀電極等。並利用Raman光譜分析儀、I-V電性量測儀、表面輪
    本研究是在玻璃基板上,利用電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD),製作矽薄膜太陽能電池本質層(Thin film silicon solar cell intrinsic layers),並進行各項光電特性之探討。另一方面是利用PECVD、磁控式濺鍍機(Sputter)、以及電子束蒸鍍機(E-Gun Evaporator),在低鈉玻璃上,製作ZnO透明導電膜以及銀電極等。並利用Raman光譜分析儀、I-V電性量測儀、表面輪
    顯示於類別:[機械工程學系] 研討會論文

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    矽薄膜太陽能電池電漿輔助化學氣相沉積本質層與透明導電膜於玻璃基板研究.pdf51KbAdobe PDF130檢視/開啟


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