本研究是在玻璃基板上，利用電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)，製作矽薄膜太陽能電池本質層(Thin film silicon solar cell intrinsic layers)，並進行各項光電特性之探討。另一方面是利用PECVD、磁控式濺鍍機(Sputter)、以及電子束蒸鍍機(E-Gun Evaporator)，在低鈉玻璃上，製作ZnO透明導電膜以及銀電極等。並利用Raman光譜分析儀、I-V電性量測儀、表面輪 本研究是在玻璃基板上，利用電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)，製作矽薄膜太陽能電池本質層(Thin film silicon solar cell intrinsic layers)，並進行各項光電特性之探討。另一方面是利用PECVD、磁控式濺鍍機(Sputter)、以及電子束蒸鍍機(E-Gun Evaporator)，在低鈉玻璃上，製作ZnO透明導電膜以及銀電極等。並利用Raman光譜分析儀、I-V電性量測儀、表面輪
