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    題名: High Performance ZnO Thin-Film Transistors Using High-k TiHfO Gate Dielectrics
    作者: 吳建宏
    rossiwu
    貢獻者: 電子工程學系
    Electronics Engineering
    關鍵詞: TFT ZnO
    日期: 2009
    上傳時間: 2014-06-27 02:32:13 (UTC+8)
    摘要: ZnO-based TFTs have attracted much attentions duing to their good device performance, low cost, and potential to
    realize transparent and flexible active circuits. However,
    most of ZnO TFTs suffered from high threshold voltage
    (VT), poor subshreshold swing
    顯示於類別:[電子工程學系] 研討會論文

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