薄膜體聲波諧振腔具有高品質因數和頻率穩定度，且其體積小重量輕、插入損耗低、耐用性高、可以與CMOS IC製程做整合等優點，且其頻率特性與溫度係數的關係小於傳統上使用的表面聲波元件，故此計畫將藉由國內CMOS 0.18um及0.13um製程的技術來實現一射頻2.0GHz的壓控振盪器，利用打線外接或是微機電製程技術將薄膜體聲波諧振腔整合到CMOS電路中。 根據諧振腔振盪器的原理，由於薄膜體聲波諧振腔具有高品質因數，故 我們可期待此計畫之射頻振盪器可達到低相位雜訊，此振盪器預計目標規格之中心頻率2.0G A four-layered Film Bulk Acoustic Resonator (FBAR) with AI/AlN/SiNx/Au composite structure was fabricated. The FBAR is composed of on a surface micromachined cantilever that is released by wet etching the copper scarification layer. The temperature coeffi
